[동양뉴스] 서다민 기자 = 과학기술정보통신부는 18일 1324억원 규모의 2024년도 정보통신기술(ICT) 원천연구개발사업 시행계획을 확정하고, 본격적으로 사업을 추진한다고 밝혔다.
2024년도 ICT 원천연구개발사업 시행계획은 반도체, 디스플레이, 이차전지, 초고성능컴퓨팅, 초전도 분야를 대상으로 하며, 이 중 11개 사업 361억원은 신규로 지원한다.
먼저, 반도체 분야는 지능형반도체, PIM반도체, 화합물반도체 등 차세대 유망분야 원천기술개발과 중·장기 한우물파기형 연구개발, 시스템반도체 석‧박사급 전문인력 양성을 계속해 지원한다. 또한 반도체 설계전공 학생에게 칩을 제작해주는 내 칩(My Chip) 서비스도 전년 대비 6배 확대해 제공하고, 공공‧대학 팹을 온라인으로 연계하는 서비스(MoaFab)도 본격적으로 시작한다.
올해에는 미국과 유럽연합을 중심으로 하는 국제공동연구, 연구자 포럼과 R&D 협력센터를 새롭게 추진하고, 미국 NY Creates 등 글로벌 첨단 팹과 연계해 이를 기반으로 국제공동연구와 인력교류 사업도 시작한다. 이에 더해 3차원 적층, 미세피치 공정, 고방열 신뢰성 및 차세대 인터포저, 고밀도 기판 등의 첨단 패키징 및 미세기판 관련 원천기술개발사업, 대면적‧고심도 계측 장비 등의 차세대 장비 원천기술개발사업 그리고 첨단 패키징에 특화된 석‧박사급 인력양성 사업을 신규로 착수한다.
디스플레이 분야는 초실감(초고해상도, 홀로그램 등), 차세대프리폼(free-form), 융⸱복합 등 미래 디스플레이 원천기술 개발을 위한 전략연구실 지원 사업과 실리콘 웨이퍼 기판의 초고해상도 디스플레이(온실리콘 디스플레이) 핵심기술 개발 사업 2개를 신규로 착수한다.
이차전지 분야는 소재 자립화(나트륨이온전지) 및 안전성 확보(수계아연전지)를 위한 차세대이차전지 핵심원천기술개발, 미국 아르곤국립연구소 등과의 한-미 국제공동연구를 통한 국제협력, 민간 수요 증가에 대응한 차세대이차전지 석‧박사급 전문인력 양성 등 3개 신규사업을 추진해 차세대이차전지 초격차 기술을 선제적으로 확보한다.
초고성능 컴퓨팅 분야는 세계 10위권 수준의 국가 초고성능컴퓨팅 인프라의 신속한 도입을 추진하고, 전략 분야의 초고성능컴퓨팅 활용 극대화 및 엑사스케일 시대 대비 SW 개발 등을 단계적으로 지원한다.
초전도체 분야는 무절연 고온초전도 기반기술 및 4대 형상별 자석 설계안 확보 및 시제품 제작을 추진한다.
과기정통부 황판식 기초원천연구정책관은 “글로벌 기술패권 경쟁의 격화로 반도체·디스플레이·이차전지·초고성능컴퓨팅·초전도 분야의 초격차 기술 확보는 경제성장의 선택이 아닌 필수조건”이라면서 “앞으로도 산업계 수요를 반영한 유망 원천기술에 대한 투자 확대로 미래 먹거리 창출을 위해 노력할 것”이라고 말했다.
